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IBM成功研發2nm芯片問世,性能提升45%!

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文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2021-05-08 13:58
  如今全球最先進的芯片制程是5nm,臺積電和三星都掌握了這項量產工藝,并且在更先進的4nm,3nm領域展開布局,近日,IBM公司宣布,他們已經創造了世界上第一個2nm芯片制程,并稱是世界首創。
 
  
  2nm制程芯片首次采用了底部電阻隔離通道技術(bottom dieletric isolation channel),使12納米的柵極長度成為可能;其內部隔離器則采用第二代干法工藝設計,有助于納米片的開發。此外,2nm制程芯片的基板工序(FEOL)采用了極紫外線光刻(EUV)技術進行加工。
  
  據外媒報道,IBM 2nm制程或能在每平方毫米芯片上集成3.33億個晶體管。相比之下,臺積電5nm制程每平方毫米約有1.71億個晶體管,三星5nm制程每平方毫米約有1.27億個晶體管。
  
  2nm制程技術或能實現在“指甲蓋”大小的芯片上集成約500億晶體管,相比當下最先進的5nm芯片體積更小,速度更快;性能和功耗方面,相比7nm芯片,2nm芯片的性能可提升45%、功耗有望降低75%;且在續航方面,使用2nm芯片設備的電池壽命或是使用7nm芯片設備的4倍。
  
  2nm制程芯片相比現有可量產的7nm、5nm制程芯片,在晶體管密度、性能、功耗等方面能實現大幅提升,據相關報道稱,IBM已與三星、英特爾簽署了聯合開發協議。
  
  芯片上更多的晶體管也意味著處理器設計人員擁有更多的選擇,目前該技術仍在概念驗證階段,可能還需幾年才能投入市場。2nm制程芯片制造技術,能夠助力手機、數據中心、PC、自動駕駛等領域應用實現性能飛躍。
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