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RDN8804可替代東沅FKCA2030/尼克森PE5A0DZ

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文章出處:驪微電子責任編輯:電源管理芯片人氣:-發表時間:2021-06-10 09:56
  RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR雙N溝道增強型功率MOSFET采用最新的溝道處理技術,以實現高單元密度和低柵電荷降低導通電阻。這些特點結合起來,使這種設計成為一個非常有效和可靠的設備,用于大電流負載應用。
  
  RDN8804 特點  
  ●20V/25A, RDS(ON) =3.8mΩ@VGS=4.5V(典型)  
  ●高密度電池設計,超低Rdson  
  ●全特性雪崩電壓和電流
  
  管腳描述
  
  應用領域  
  ● 大電流應用中的負載開關  
  ● 逆變器系統的電源管理  
  ● 電池保護
  
  RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR雙N溝道增強型功率MOSFET可以直接替代東沅FKCA2030/尼克森PE5A0DZ,更多RDN8804 mos產品手冊或者詳細資料請向驪微電子申請。>>
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